Ga6N6团簇结构性质的理论计算研究

被引：14

作者：

郝静安

郑浩平

机构：

[1] 同济大学玻耳固体物理研究所,同济大学玻耳固体物理研究所上海,上海

来源：

物理学报 | 2004年 / 04期

关键词：

GaN; 团簇; 电子结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

O472 [半导体性质];

学科分类号：

070204 [等离子体物理];

摘要：

在密度泛函理论的基础上 ,对Ga6 N6 团簇进行了第一性原理、全电子、从头计算 ,得到了 10种可能的三维空间结构及其电子结构 .其中最稳定结构的一对GaN原子的平均结合能为 9 748eV ,因此是可能存在的 .但与他人计算的Ga3N3 和Ga5 N5 相比 ,Ga6 N6 团簇可能不属于“幻数”团簇 .最稳定结构的Ga6 N6 团簇的费米面是部分占有的 ,能量为EF=-5 2 972eV ,因此具有“金属性” ,但没有自旋磁矩 .我们还计算了该结构的Ga6 N6 团簇的亲和势、电离能和电子跃迁能 .这将有助于对GanNn 团簇系列的结构和性质随n变化的研究

引用

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