间歇式As中断生长InGaAs/GaAs量子点

被引：3

作者：

王继红 ^{[1
]}

罗子江 ^{[2
]}

周勋 ^{[3
]}

丁召 ^{[1
]}

机构：

[1] 贵州大学大数据与信息工程学院

[2] 贵州财经大学信息学院

[3] 贵州师范大学物理与电子科学学院

来源：

功能材料 | 2017年 / 48卷 / 05期

关键词：

间歇式As中断; InGaAs; 量子点; MBE/STM;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471.1 [半导体量子理论];

学科分类号：

摘要：

采用间歇式As中断方法利用分子束外延(MBE)生长了不同厚度的InGaAs量子点,并通过反射式高能电子衍射仪(RHEED)以及扫描隧道显微镜(STM)对其表面进行形貌表征与分析。研究发现间歇式As中断方法有利于改善量子点的均匀性,同时量子点的表面形貌特征由生长温度和沉积厚度决定;量子点沉积厚度越大,量子点面密度越高;在一定生长温度范围内,生长温度越高量子点分布均匀性越强,反之则越弱;研究还发现InGaAs量子点的生长过程中存在3个截然不同的阶段和两种明显的生长模式转变点,3个阶段分别是层状生长阶段、量子点形成阶段和量子点自合并成熟阶段,两种生长模式转变点分别是SK转变和量子点自合并熟化转变。

引用

页码：5023 / 5027

页数：5

共 5 条

[1] MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究
王继红
罗子江
周勋
郭祥
周清
刘珂
丁召
[J]. 功能材料, 2013, 44 (06) : 847 - 849+853
[2] 反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究
周勋
杨再荣
罗子江
贺业全
何浩
韦俊
邓朝勇
丁召
[J]. 物理学报, 2011, 60 (01) : 479 - 483
[3] 固体物理导论[M]. 化学工业出版社 , (美)C.基泰尔(CharlesKittel)著, 2005
[4] Surface segregation of InGaAs films by the evolution of reflection high-energy electron diffraction patterns[J] . Zhou Xun,Luo Zi-Jiang,Guo Xiang,Zhang Bi-Chan,Shang Lin-Tao,Zhou Qing,Deng Chao-Yong,Ding Zhao.Chinese Physics B . 2012 (4)
[5] Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures
Wang, ZM
Feng, SL
Lu, ZD
Zhao, Q
Yang, XP
Chen, ZG
Xu, ZY
Zheng, HZ
[J]. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 1998, 27 (02) : 59 - 61

← 1 →