半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述

被引：14

作者：

常剑

蒋登高

詹自力

宋文会

机构：

[1] 郑州大学

[2] 郑州大学化工学院

来源：

关键词：

气敏机理; 半导体金属氧化物;

D O I：

10.16204/j.cnki.sw.2003.08.003

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

本文结合半导体金属氧化物的电学特性,从气体分子与半导体金属氧化物气敏材料相互作用的角度出发,对其气敏机理作一概述。由于半导体金属氧化物气敏机理与氧存在密切相关,因而从表面吸附、催化氧化反应的角度研究气敏机理对研究反应机理、提高气敏性能、开发新型气敏材料和掺杂剂有着重要的意义。

引用

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