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- [1] 基于碳化硅器件的智能功率变换系统的研究.[D].李梓.北京交通大学.2012, 10
- [2] 电力电子学.[M].刘志刚主编;.北京交通大学出版社.2004,
新型SiC功率器件在Boost电路中的应用分析
被引：5
作者：
王旸文
[1
]
赵彪
[2
]
严干贵
[1
]
宋强
[2
]
机构：
[1] 东北电力大学
[2] 清华大学
来源：
关键词：
功率器件;
升压斩波电路;
栅极电阻;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN386 [场效应器件];
学科分类号：
摘要：
分析新型SiC功率器件在实际应用中的基本特性,以升压斩波电路为载体,通过理论分析对SiC MOSFET栅极电阻对开关特性的影响,以及开关频率与传输效率的关系进行了阐述。同时,以SiC MOSFET功率器件为核心搭建了实验样机,依据实测数据对理论分析进行验证,并与同类型Si器件相互比较,得出了关于SiC功率器件在系统电路设计方面的优点和一些值得注意的问题。
引用
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页数：3
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