800kV GIS隔离开关磁场-温度场计算与分析

被引：48

作者：

宋帆 ^{[1
]}

申春红 ^{[2
]}

林莘 ^{[1
]}

徐建源 ^{[1
]}

马曾锐 ^{[2
]}

南方 ^{[2
]}

机构：

[1] 沈阳工业大学

[2] 西安西开高压电气股份有限公司

来源：

高电压技术 | 2008年 / 07期

关键词：

800kV GIS隔离开关; 有限元法; 工频磁场; 涡流; 热流耦合分析; 温度场;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2008.07.016

中图分类号：

TM595 [全封闭组合电器];

学科分类号：

摘要：

800kV GIS隔离开关在实际运行中由于电阻损耗发热而温度升高,甚至超过允许温升,从而影响其工作性能,为了保证其工作的安全性和可靠性,建立了三维有限元分析模型对800kV GIS隔离开关的工频磁场进行分析。首先计算出隔离开关上的磁感应强度分布及涡流损耗,然后将涡流损耗值作为体积热源计算800kVGIS隔离开关的温度场,得出各部分具体温升值。结果表明:在环境温度为27.3°C的工作条件下,隔离开关主导体上的温升约为26.3K,外壳温升约为13.3K。计算结果和试验测试数据的对比验证了方法的准确性,进而为产品设计提供参考,为提高GIS隔离开关运行可靠性提供理论依据。

引用

页码：1383 / 1388

页数：6

共 14 条

[1] UHV GIS内部温度场的红外热诊断技术 [J].