SiC/SiO2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的MonteCarlo研究

被引：5

作者：

尚也淳

张义门

张玉明

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子研究所!西安

来源：

物理学报 | 2001年 / 07期

关键词：

6H-SiC; 反型层迁移率; 表面粗糙散射; 指数模型;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

摘要：

提出了一种SiC反型层表面粗糙散射的指数模型 ,并对 6H SiC反型层迁移率进行了单电子的MonteCarlo模拟 ,模拟中考虑了沟道区的量子化效应 .模拟结果表明 ,采用表面粗糙散射的指数模型能够使SiC反型层迁移率的模拟结果和实验值符合得更好 .模拟结果还反映出有效横向电场较高时表面粗糙散射的作用会变得更显著 ,电子的屏蔽效应降低了粗糙散射对沟道迁移率的影响 ,温度升高会引起沟道迁移率降低 .

引用

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页数：5