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掺硼（B）非晶硅（a－Si：H）材料固相晶化（SPC）的研究[J]. 于振瑞,耿新华,孙云,刘世国,孙钟林,徐温元.太阳能学报. 1994(02)
温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响
被引：4
作者：
靳锐敏
卢景霄
扬仕娥
王海燕
李瑞
冯团辉
段启亮
机构：
[1] 郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室
[2] 郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室 河南郑州
[3] 河南郑州
来源：
关键词：
无机非金属材料;
PECVD法;
非晶硅薄膜;
多晶硅薄膜;
二次晶化;
D O I：
10.14106/j.cnki.1001-2028.2005.08.014
中图分类号：
TN304 [材料];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好。在450℃下沉积、850℃退火3h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900nm左右。
引用
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