界面效应调制忆阻器研究进展

被引：23

作者：

贾林楠

黄安平

郑晓虎

肖志松

王玫

机构：

[1] 北京航空航天大学物理系

来源：

物理学报 | 2012年 / 61卷 / 21期

关键词：

忆阻器; 忆阻机理; 界面效应; 非易失存储;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM501 [理论];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

忆阻器因其优异的非易失存储特性,且具有结构简单、存储速度快、能耗低、集成度高等优势,在新型电子器件研究领域引起了广泛关注.本文从忆阻器结构出发,对忆阻器主要材料、机理等进行了综述,介绍了忆阻器在电子电路及人工智能等领域的研究进展,重点讨论了界面效应对忆阻行为及性能改善等方面的重要作用,提出了界面纳米点嵌入结构对优化忆阻性能的显著效果,并分析了忆阻器可能的发展趋势.

引用

页码：434 / 444

页数：11

共 4 条

[1] 忆阻混沌电路的分析与实现 [J].