共 1 条
GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究
被引：28
作者：
罗毅
郭文平
邵嘉平
胡卉
韩彦军
薛松
汪莱
孙长征
郝智彪
机构：
[1] 清华大学电子工程系
[2] 清华大学电子工程系 集成光电子学国家重点实验室
[3] 北京
[4] 集成光电子学国家重点实验室
来源：
关键词：
GaN;
发光二极管;
波长稳定性;
D O I：
暂无
中图分类号：
O472 [半导体性质];
学科分类号：
070205 ;
080501 ;
0809 ;
080903 ;
摘要：
尽管GaN基蓝绿光发光二极管 (LED)已进入大规模商品化阶段 ,但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题 .同时 ,蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为 2 5nm以上 .通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量 ,获得了高质量的InGaN GaN多量子阱LED外延片 .由此制作的LED器件在 0— 1 2 0mA的注入电流下 ,发光波长变化小于 1nm .在 2 0mA的正向电流下 ,其光谱半高全宽只有 1 8nm ,且随注入电流变化较小
引用
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页码：2720 / 2723
页数：4
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