Bi4Ge3O12晶体线性电光效应的稳定性分析

被引:10
作者
谢克诚
机构
[1] 四川压电与声光技术研究所
关键词
线性电光效应; BGO; 警克尔效应; Bi4Ge3O; 晶体; 外加电压; 直流电压; Ge;
D O I
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摘要
本文介绍了我所用提拉法生长的Bi4Ge3O12晶体线性电光效应的稳定性情况,给出了实验结果,并对实验中影响线性电光效应稳定性的一些因素进行了分析.
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[3]  
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