大功率STATCOM装置IGBT吸收电路参数的多目标优化设计

被引:1
作者
马国喜
李正国
罗安
杨勇
机构
[1] 中南大学信息科学与工程学院
[2] 中南大学信息科学与工程学院 湖南长沙 
[3] 湖南长沙 
关键词
STATCOM; 吸收电路; 并行自校正多目标遗传算法;
D O I
暂无
中图分类号
TN386 [场效应器件];
学科分类号
摘要
提出了采用一种并行自校正多目标遗传算法,对大功率STATCOM装置的IGBT吸收电路参数选型进行优化.通过设计实例表明,这种选优方法设计的吸收电路可靠性高,工程应用价值大.
引用
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页码:23 / 25+54 +54
页数:4
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