不同氧分压下直流反应溅射ZnO薄膜的结构和光学特性

被引：12

作者：

郑丁葳 ^{[1
]}

倪晟 ^{[1
]}

赵强 ^{[1
]}

王基庆 ^{[2
]}

机构：

[1] 华东师范大学物理系

[2] 华东师范大学电子科学与技术系

来源：

光学学报 | 2007年 / 04期

关键词：

薄膜光学; ZnO薄膜; 直流反应溅射; 光学特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

摘要：

在室温,不同氧分压条件下,采用Zn靶直流反应溅射在石英衬底上制备了具有纤锌矿结构(002)择优取向的ZnO薄膜。薄膜的生长速率随氧分压的增大而减小,在20%-30%之间存在一个拐点,在此点之前,溅射产额减小的速率很快,而在此点之后,溅射产额减小的速率减慢了很多,当氧分压在30%以上时,溅射过程中Zn的氧化在靶表面就已经完成。通过单振子模型分析了薄膜的光学特性,采用X射线衍射的方法对薄膜的晶粒尺寸和应力进行分析。研究结果表明在氧分压20%以上时,薄膜在可见光波段具有较好的光学透明性和很高的电阻率。薄膜的光学折射率、晶面间距和内部应力均随着氧分压的增大而增大。并从薄膜生长机理上给出了理论解释。

引用

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