飞秒激光对两种不同的单晶硅的辐照损伤研究

被引：1

作者：

马鹏飞 ^{[1
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刘中山 ^{[1
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常方高 ^{[1
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宋桂林 ^{[1
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王克栋 ^{[1
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机构：

[1] 河南师范大学物理与信息工程学院

[2] 河南省光伏材料重点实验室

来源：

人工晶体学报 | 2013年 / 42卷 / 01期

关键词：

飞秒激光; 辐照; 损伤; 单晶硅;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2013.01.017

中图分类号：

TN249 [激光的应用]; TN304.12 [];

学科分类号：

摘要：

为研究杂质在超短脉冲激光对材料辐照过程中的作用,利用相同能量密度的飞秒激光对两种不同的单晶硅片进行扫描刻蚀,在两种硅片表面均形成平行分布的刻蚀槽,刻蚀槽内部密布着大量的微纳米颗粒。通过电子扫描显微镜和台阶仪等测试手段对样品进行形貌观测,发现两种样品的损伤程度存在较明显的差异。数据分析表明激光辐照对材料造成的损伤受到晶体内部固有杂质缺陷的影响,杂质的存在可以加剧辐照损伤。

引用

页码：99 / 104

页数：6

共 18 条

[1] 超短脉冲激光对无机硅材料的损伤 [J].

李玉华 ;

马法君 ;

戴能利 ;

杨光 ;

陆培祥 .

中国激光, 2007, (07) :1009-1013

[2]

Low-dose irradiation effects produced by 14 MeV neutrons in different quality Y- and Tl-based high- T c ceramics[J] . A. C. Bódi,J. Csikai,I. Kirschner. &nbspZeitschrift für Physik B Condensed Matter . 1994 (2)

[3]

Defect structures in neu-tron irradiated6H-SiC studied by X-ray diffraction line pro-file analysis. Seitz C,Magerl A,Hock R,et al. Materials Research Society Symposium Proceedings . 2001

[4] Cu掺杂硅量子点的电子结构和光学性质 [J].

梁伟华 ;

王秀丽 ;

褚立志 ;

丁学成 ;

邓泽超 ;

王英龙 .

人工晶体学报, 2011, 40 (04) :1027-1032

[5]

Textured Thin-film Si Solar Selective Absorbers Using Reactive Ion Etching. Graighead H G,Howard R E,Tennant D M. Applied Physics Letters . 1980

[6]

Surface Properties of Aluminum-Silicon Alloy Irradiated by Picosecond Laser. Zhu X N,Huang Y G,Liu D W,et al. Physics Procedia . 2011

[7]

Blue-light Emission from Porous Silicon Induced by Laser Irradiation. Sun J,Lu Y W,Du X W,et al. Materials Letters . 2005

[8]

Microstructuring of silicon with femtosecond laser pulses. Her TH,Finlay RJ,Wu C,et al. Applied Physics . 1998

[9]

Sub-wavelength surface structures on silicon irradiated by femtosecond laser pulsesat 1300 and 2100 nm wavelengths. CRAWFORD T H R,HAUGEN H K. Applied Surface Science . 2007

[10]

Direct Creation of Black Silicon Using Femtosecond Laser Pulses. Vorobyev A Y,Guo C L. Applied Surface Science . 2011

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