GSMBE GaN膜的电子输运性质研究

被引：1

作者：

王晓亮

孙殿照

孔梅影

张剑平

曾一平

李晋闽

林兰英

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所

来源：

半导体学报 | 1998年 / 12期

关键词：

外延膜; 导带; 空带; 能带结构; GSMBE GaN; 电子导电; 迁移率; 电子浓度; 电子密度;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.230.55,O484. [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

用ＮＨ３作氮源的ＧＳＭＢＥ方法在晶向为（０００１）的α－Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了非有意掺杂的单晶ＧａＮ外延膜，ＧａＮ膜呈Ｎ型导电，室温时的最高迁移率约为１２０ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），相应的非有意掺杂电子浓度为９．１×１０１７ｃｍ－３．对一些ＧａＮ膜进行了变温Ｈａｌ测试，通过电阻率、背景电子浓度以及Ｈａｌ迁移率随温度的变化研究了ＧａＮ外延膜的导电机理．结果表明，当温度较低时，以电子在施主中心之间的输运导电为主；当温度较高时，以导带中的自由电子导电为主．

引用

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