高质量GaN材料的GSMBE生长

被引：4

作者：

王晓亮

孙殿照

孔梅影

张剑平

付荣辉

朱世荣

曾一平

李晋闽

林兰英

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所材料科学中心!北京,,中国科学院半导体研究所材料科学中心!北京,,中国科学院半导体研究所材料科学中心!北京,,中国科学院半导体研究所材料科学中心!北京,,中国科学院半导体研究所材料科学中心!北京,,中国科学院半导体研究

来源：

半导体学报 | 1997年 / 12期

关键词：

GaN; 高质量; GSMBE; 室温光致发光; 外延膜; 双晶衍射;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN204 [材料和工作物质];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ;

摘要：

在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8’；背景电子浓度最低为2．7×1018cm－3，霍尔迁移率最好为91cm2／（V·s）；室温光致发光谱上只观察到一个强而锐的带边发光峰，谱峰位于363nm处，室温谱峰半高宽最窄为8nm（75meV）．

引用

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