Zno压敏陶瓷的介电谱

被引：8

作者：

成鹏飞 ^{[1
]}

李盛涛 ^{[2
]}

李建英 ^{[2
]}

机构：

[1] 西安工程大学理学院

[2] 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室

来源：

物理学报 | 2012年 / 61卷 / 18期

关键词：

ZnO压敏陶瓷; 介电谱; Schottky势垒; 显微结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM282 [压电陶瓷材料];

学科分类号：

0805 ; 080502 ; 080801 ;

摘要：

在-160℃—200℃温度范围内、0.1 Hz—0.1 MHz频率范围内测量了ZnO压敏陶瓷的介电频谱,发现可以采用电导率谱低频端的类直流特性来表征晶界Schottky势垒的电子输运过程,获得的Schottky势垒高度为0.77 eV.基于背靠背双Schottky势垒模型,提出当存在直流偏压时,势垒高度将随直流偏压线性增大.基于此势垒模型计算了ZnO压敏陶瓷单晶界的直流偏压大小,进而计算出晶粒平均尺寸为6.8μm,该理论值与通过扫描电子显微镜断面照片获得的测量值的偏差在5%以内.可见采用介电谱不但可以获得势垒高度实现电气性能的表征,还能获得晶粒尺寸实现显微结构的表征.

引用

页码：437 / 441

页数：5

共 5 条

[1] ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的晶界电子结构 [J].