XRD对ZnO薄膜生长条件和退火工艺的优化

被引：3

作者：

王金忠

闫玮

王新强

殷景志

姜秀英

杨树人

杜国同

高鼎三

R.P.H.Chang

机构：

[1] 吉林大学电子工程系集成光电子学国家联合重点实验室!吉林长春

来源：

半导体光电 | 2001年 / 03期

关键词：

等离子体MOCVD; X射线衍射; 蓝宝石;

D O I：

10.16818/j.issn1001-5868.2001.03.005

中图分类号：

TN304.055 [];

学科分类号：

摘要：

利用等离子体MOCVD设备在 (0 0 1)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析 ,优化了薄膜的生长条件 ,长出了半高宽仅为 0 .15°的单一取向的高质量ZnO薄膜 ,并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力 ,而生长结束后一次退火却引入了压应力。

引用

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