温度对碲镉汞光伏芯片I-V特性的影响

被引：1

作者：

刘大福

袁永刚

龚海梅

机构：

[1] 中科院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室

来源：

红外与激光工程 | 2007年 / 04期

关键词：

烘烤; I-V; 碲镉汞; 电流机制;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN492 [专用集成电路]; TN215 [红外探测、红外探测器];

学科分类号：

080903 ; 1401 ; 0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验。烘烤温度从60℃开始,步长为5℃,到120℃结束,每个温度下的烘烤时间一般为24 h。实验结果显示当烘烤温度达到95℃以上时,I-V测试结果中反偏部分的电流有明显增大。通过理论分析得到扩散电流和产生复合电流是实验芯片的主要电流机制;较高温度的烘烤在势垒区内产生大量的缺陷,从而降低芯片的少子寿命,使扩散电流增大;同时芯片表面钝化层内的缺陷数目也在温度作用下增加,引起芯片表面复合速度增加。

引用

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