面向投影仪的LED阵列单位Etendue光通量的研究

基于各种结构LED芯片的出光特性,计算了得到的芯片及集成阵列实际的光学扩展量(Etendue),以此分析了面向投影仪光源的LED集成阵列在不同芯片间距和芯片厚度条件下的单位光学扩展量的光通量。结果表明,在面向LED投影仪的多芯片集成阵列光源中,使用剥离衬底的垂直结构芯片容易获得更高的单位Etendue光通量,从而有利于提高投影仪亮度。同时,对一种表面球形凹坑周期性微结构的倒装垂直结构LED芯片的集成阵列单位Etendue光通量进行了分析。在无封装的情况下,该结构芯片集成阵列的单位Etendue光通量较普通蓝宝石正装芯片和SiC倒装芯片的集成阵列分别高出164%和150%。