闪锌矿GaN/AlGaN量子点中激子态及光学性质的研究

被引：1

作者：

王艳文 ^{[1
]}

吴花蕊 ^{[2
]}

机构：

[1] 新乡医学院生命科学技术系

[2] 新乡学院物理系

来源：

物理学报 | 2012年 / 61卷 / 10期

关键词：

激子; 量子点; GaN;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471.1 [半导体量子理论];

学科分类号：

摘要：

在有效质量近似的框架下,运用变分方法研究闪锌矿GaN/AlGaN量子点中的激子态及相关光学性质,探讨电子与空穴在量子点中的三维空间受限和有限势效应.数值计算结果显示,当量子点的尺寸增加时,量子尺寸效应对电子和空穴的影响减弱,基态激子结合能和带间光跃迁能也都降低;而当该量子点中垒层AlGaN中Al含量增加时,提高了量子点对电子和空穴的束缚作用,同时基态激子结合能和带间光跃迁能都增加.数值的理论结果与相关实验测量结果一致.

引用

页码：318 / 322

页数：5

共 7 条

[1] 有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响
吴慧婷
王海龙
姜黎明
[J]. 物理学报, 2009, 58 (01) : 465 - 470
[2] AlxGa1-xN/GaN双量子阱的结构和掺杂浓度对子带间跃迁波长和吸收系数的影响
雷双瑛
沈波
张国义
[J]. 物理学报, 2008, (04) : 2386 - 2391
[3] 内建电场对GaN/AlGaN单量子点发光性质的影响
危书义
赵旭
吴花蕊
夏从新
[J]. 液晶与显示, 2006, (02) : 139 - 144
[4] Garayt J P,Gerard J M,Enjalbert F,Ferlazzo L,Founta S,Martinez-Guerrero E,Rol F,Araujo D,Cox R,Daudin B,Gayral B,Dang L S,Mariette H. PhysicaE . 2005
[5] Schulz,S,Schumacher,S,Czycholl,G. Phys. Rev. B . 2006
[6] Growth and characterization of free-standing zinc-blende(cubic)GaNlayers and substrates .2 Novikov S V,Stanton N M,Campion R P,et al. Semiconductor Science and Technology . 2008
[7] Widmann F,Simon J,Daudin B,Feuillet G,Rouviere L J,Pelekanos N T. Phys. Rev. B . 1998

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