AlxGa1-xN/GaN双量子阱的结构和掺杂浓度对子带间跃迁波长和吸收系数的影响

被引：3

作者：

雷双瑛 ^{[1
]}

沈波 ^{[2
]}

张国义 ^{[2
]}

机构：

[1] 东南大学微电子机械系统教育部重点实验室

[2] 北京大学物理学院

来源：

物理学报 | 2008年 / 04期

基金：

北京市自然科学基金;

关键词：

自洽; AlxGa1-xN/GaN双量子阱; 子带间跃迁;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

摘要：

用薛定谔方程和泊松方程自洽计算的方法研究了Al0.75Ga0.25N/GaN对称双量子阱(DQWs)中子带间跃迁(ISBT)的波长和吸收系数对中间耦合势垒高度、中间耦合势垒宽度、势阱宽度和势垒掺杂浓度的依赖关系.研究发现,第一奇序子带S1ood与第二偶序子带S2even ISBT波长随着中间耦合势垒高度的降低而变短.当中间耦合势垒高度高于0.62eV时,S1odd-S2even ISBT吸收系数随着中间耦合势垒的降低而增加.当减小AlxGa1-xN/GaN的DQWs中间耦合势垒宽度时,S1odd-S2even ISBT波长将变短,其吸收系数变大.另一方面,当对称DQWs的势阱宽度大于1.9nm时,S1odd-S2even ISBT波长随着势阱的变窄而减小,S1odd-S2even ISBT吸收系数随着势阱的变窄而增加.当势垒中的掺杂浓度小于1018/cm3时,S1odd-S2even ISBT波长基本不随掺杂浓度变化,而吸收系数随掺杂浓度的增加而增加.这些结果对于利用DQWs实现工作于光纤通信波段超快的、基于三能级或四能级系统的双色光电子器件的应用具有指导意义.

引用

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