低频重复经颅磁刺激对脑卒中后记忆及认知功能的影响

被引：44

作者：

芦海涛

孙莉

郭华珍

张通

机构：

[1] 首都医科大学康复医学院

[2] 中国康复研究中心博爱医院神经康复科

来源：

中国康复理论与实践 | 2015年 / 21卷 / 09期

关键词：

脑卒中; 重复经颅磁刺激; 记忆; 认知;

D O I：

暂无

中图分类号：

R743.3 [急性脑血管疾病（中风）];

学科分类号：

100204 [神经病学];

摘要：

目的观察低频重复经颅磁刺激(r TMS)刺激右侧前额叶背外侧皮层对脑卒中患者认知及记忆功能的影响。方法脑卒中后记忆功能障碍患者40例,随机分为磁刺激组(n=19)和假刺激组(n=21),分别接受真假1 Hz r TMS治疗。所有患者在治疗前、治疗结束后和治疗结束2个月后分别用蒙特利尔认知评估量表(Mo CA)中文版、洛文斯顿作业疗法认知评估(LOTCA)及行为记忆量表(RBMT)进行测评。结果两组在治疗后及治疗结束2个月时,Mo CA、LOTCA及RBMT评分均有显著升高(P<0.001),磁刺激组改善程度明显优于假刺激组(P<0.01)。结论低频r TMS可以改善脑卒中后认知及记忆功能障碍。

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页码：1074 / 1077

页数：4

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