飞秒激光烧蚀硅表面产生微纳结构过程中激光脉冲数目的影响

被引：7

作者：

阮召崧 ^{[1
]}

彭滟 ^{[2
]}

朱亦鸣 ^{[1
,2
]}

何波涌 ^{[1
]}

机构：

[1] 上海交通大学微电子学院

[2] 上海理工大学光电信息与计算机工程学院教育部光学仪器与系统工程研究中心

来源：

光学技术 | 2011年 / 37卷 / 02期

关键词：

光学材料; 飞秒激光脉冲; 硅表面微型结构; 等离子体增强刻蚀;

D O I：

10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2011.02.022

中图分类号：

TQ127.2 [硅及其无机化合物];

学科分类号：

0817 ;

摘要：

为了研究飞秒激光脉冲数目与硅表面形貌之间的关系,在相同的SF6气体氛围下,改变照射硅表面的飞秒激光脉冲数,发现在飞秒激光照射下由硅表面形成的微型锥状尖峰的高度与飞秒激光脉冲数呈现一种非线性关系。通过对该关系的研究有利于找出在制造具有较高吸收效率的高微型锥状尖峰的"黑硅"的实验条件,有利于基于"黑硅"材料的光电器件转化效率的提高。

引用

页码：245 / 248

页数：4

共 5 条

[1] Broad band enhanced infrared light absorption of a femtosecond laser microstructured silicon [J].

Liu, Y. ;

Liu, S. ;

Wang, Y. ;

Feng, G. ;

Zhu, J. ;

Zhao, L. .

LASER PHYSICS, 2008, 18 (10) :1148-1152

[2] Ultrafast lasers in materials research [J].

Cahill, David G. ;

Yalisove, Steve M. .

MRS BULLETIN, 2006, 31 (08) :594-600

[3] Infrared absorption by sulfur-doped silicon formed by femtosecond laser irradiation [J].

Crouch, CH ;

Carey, JE ;

Shen, M ;

Mazur, E ;

Génin, FY .

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2004, 79 (07) :1635-1641

[4]

Surface micro-structuring of silicon by excimer-laser irradiation in reactive atmospheres[J] . A.J. Pedraza,J.D. Fowlkes,S. Jesse,C. Mao,D.H. Lowndes.Applied Surface Science . 2000 (1)

[5]

Laser–solid interaction in the femtosecond time regime[J] . D von der Linde,K Sokolowski-Tinten,J Bialkowski.Applied Surface Science . 1997

← 1 →