静态存储单元电路设计工艺的研究

被引：3

作者：

李彦旭

巴大志

成立

机构：

[1] 江苏大学电气信息工程学院

[2] 太原理工大学信息工程学院

来源：

电子元件与材料 | 2002年 / 12期

关键词：

静态存储器; 双极型; 互补对称式金属–氧化物-半导体电路; 双极互补金属氧化物半导体电路;

D O I：

10.14106/j.cnki.1001-2028.2002.12.005

中图分类号：

TN402 [设计];

学科分类号：

摘要：

论述了静态存储单元电路对目前高速数字系统的意义。通过采用对双极型(Bipolar)、互补对称式金属–氧化物–半导体型(CMOS)、双极互补金属氧化物半导体型(BiCMOS)三种不同工艺所设计的静态存储单元电路在性能、特点方面进行比较的方法,从而提出一些实际的解决措施,以便研发人员在设计具体的SRAM电路时有所参考。

引用

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