Si基Ⅳ族异质结构发光器件的研究进展

被引：3

作者：

何超

张旭

刘智

成步文

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室

来源：

物理学报 | 2015年 / 64卷 / 20期

关键词：

Si基; Ge; GeSn; 发光器件;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.12 [];

学科分类号：

摘要：

Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,有望解决集成电路的集成度在日益提高时电互连带来的问题.在Si基光互连的关键器件中,除了Si基光源尚未得到解决,其他器件都已经实现,因此Si基可集成高效光源具有十分重要的研究意义.同为Ⅳ族元素的Ge和GeSn因其与Si的可集成性及其独特的能带结构有望成为Si基光电集成回路中的光源.虽然Ge是间接带隙材料,但通过引入张应变、n型重掺杂,或者引入Sn形成GeSn合金等能带工程手段来提高发光效率.近年来,Si基Ⅳ族发光材料和发光器件有许多重要进展,本文就Si基Ge,GeSn材料发光研究中的几个关键技术节点——应变工程、掺杂技术、理论模型和器件研究——回顾了近几年国际和国内的研究进展,并展望了Si基Ⅳ族激光器的发展趋势.

引用

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页数：10

共 4 条

[1]

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