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具有窄光致发光谱的纳米Si晶薄膜的激光烧蚀制备
被引：5
作者：
王英龙
卢丽芳
闫常瑜
褚立志
周阳
傅广生
彭英才
机构：
[1] 河北大学物理科学与技术学院
[2] 河北大学电子信息工程学院 保定
[3] 保定
来源：
关键词：
纳米Si晶粒;
脉冲激光烧蚀;
薄膜形貌;
光致发光;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
采用XeCl脉冲准分子激光器,在10Pa的Ar气环境下,烧蚀高阻单晶Si靶,分别在距靶3cm的玻璃和单晶Si衬底上制备了纳米Si薄膜.相应的Raman谱和x射线衍射谱均证实了薄膜中纳米Si晶粒的形成.扫描电子显微镜图像显示,所形成的薄膜呈均匀的纳米Si晶粒镶嵌结构.相应的光致发光峰位出现在599nm,峰值半高宽为56nm,与相同参数下以He气为缓冲气体的结果相比,具有较窄的光致发光谱,并显示出谱峰蓝移现象.
引用
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页码：228 / 232
页数：5
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