Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响

被引：14

作者：

王英龙

周阳

褚立志

傅广生

彭英才

机构：

[1] 河北大学物理科学与技术学院

[2] 河北大学电子信息工程学院保定

[3] 保定

来源：

物理学报 | 2005年 / 04期

关键词：

纳米Si晶粒; 脉冲激光烧蚀; 表面形貌;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383 [特种结构材料];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

采用XeCl脉冲准分子激光器 ,烧蚀高阻抗单晶Si靶 ,在 1— 5 0 0Pa的Ar气环境下沉积制备了纳米Si薄膜 .x射线衍射谱测量证实 ,纳米Si晶粒已经形成 .利用扫描电子显微镜观测了所形成纳米Si薄膜的表面形貌 ,结果表明 ,随着环境气压的增加 ,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸增大 ,气压为 10 0Pa时达到最大值 2 0nm ,而后开始减小 .从晶粒形成动力学角度 ,对实验结果进行了定性分析 .

引用

页码：1683 / 1686

页数：4

共 3 条

[1] Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理研究 [J].