Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理研究

被引：8

作者：

彭英才

池田弥央

宫崎诚一

机构：

[1] 河北大学电子信息工程学院

[2] 广岛大学电气工学系

[3] 大学院先端物质科学研究科

[4] 大学院先端物质科学研究科保定

[5] 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室

[6] 北京

[7] 日本广岛

来源：

物理学报 | 2003年 / 12期

关键词：

Si纳米量子点; LPCVD; 自组织化形成; 生长机理;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

采用低压化学汽相沉积 (LPCVD)方法 ,依靠纯SiH4 气体分子的表面热分解反应 ,在由Si—O—Si键和由Si—OH键终端的两种SiO2 表面上 ,自组织生长了Si纳米量子点 .实验研究了所形成的Si纳米量子点密度随SiO2 表面的反应活性位置数、沉积温度以及反应气压的变化关系 .依据LPCVD的表面热力学过程 ,定性地分析了Si纳米量子点的形成机理 .研究结果对具有密度分布均匀和晶粒尺寸可控的Si纳米量子点的自组织生长 ,以及Si基新型量子电子器件的制备具有重要的实际意义 .

引用

页码：3108 / 3113

页数：6

共 5 条

[1]

薄膜生长.[M].吴自勤;王兵著;.科学出版社.2001,

[2] Si基纳米发光材料的研究进展 [J].