Si基纳米发光材料的研究进展

被引：15

作者：

彭英才

X.W.Zhao

傅广生

不详

机构：

[1] 河北大学电子信息工程学院

[2] Department of Physics

[3] Faculty of Science

[4] Tokyo University of Science

[5] -

[6] Kagurazaka

[7] Shinjuku-ku

[8] 河北大学物理科学与技术学院保定　　中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室

[9] 北京

[10] Tokyo

[11] Japan

[12] 保

来源：

科学通报 | 2002年 / 10期

关键词：

Si基纳米材料; 制备方法; 结构特征; 发光机制; Si基光电器件;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383 [特种结构材料];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

Si基纳米材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息材料,在未来的Si发光二极管、Si激光器以及Si基光电子集成技术中具有潜在的重要应用.这些材料主要包括纳米多孔硅,由SiO2膜、SiOx（x<2.0）膜与氢化非晶Si（a-Si:H）膜镶嵌或覆盖的Si纳米微粒,Si纳米量子点以及Si/SiO2超晶格等.目前的研究迹象预示,一旦这些材料能够实现高效率和高稳定度的光致发光（PL）或电致发光（EL）,很有可能在21世纪初引发一场新的信息革命.主要介绍了过去10年中各类Si基纳米材料在制备方法、结构特征和发光特性方面的研究进展,并初步预测了这一研究领域在今后10年内的发展趋势.

引用

页码：721 / 730

页数：10

共 9 条

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