电化学制备薄黑硅抗反射膜

被引：18

作者：

刘光友

谭兴文

姚金才

王振

熊祖洪

机构：

[1] 西南大学物理科学与技术学院

来源：

物理学报 | 2008年 / 01期

关键词：

多孔硅; 折射率; 抗反射膜; 黑硅;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

采用计算机控制电流密度按指数规律衰减对单晶硅进行电化学腐蚀,得到了折射率随薄膜厚度连续均匀变化的抗反射膜,即黑硅样品.这种在制取上快速、经济和工艺非常简单的样品,不仅在较宽波段范围内反射率小于5%,且整个薄膜厚度不足1μm.利用传输矩阵方法对黑硅样品的反射谱进行模拟,得到了理论与实验符合较好的结果.

引用

收藏

页码：514 / 518

页数：5

相关论文

共 2 条

[1] 声空化物理化学综合法制备发光多孔硅薄膜的微结构与发光特性 [J].

刘小兵 ;

史向华 ;

廖太长 ;

任鹏 ;

柳玥 ;

柳毅 ;

熊祖洪 ;

丁训民 ;

侯晓远 .

物理学报, 2005, (01) :416-421

[2]

光学原理[M]. 电子工业出版社 , (德)马科斯·玻恩（MaxBorn）,（美）埃米尔·沃耳夫（EmilWolf）著, 2005