氧化锌压敏电阻劣化过程中电容量变化的分析应用

被引:51
作者
杨仲江 [1 ,2 ]
陈琳 [1 ,2 ]
杜志航 [3 ]
孙涌 [4 ]
机构
[1] 气象灾害省部共建教育部重点实验室
[2] 南京信息工程大学大气物理学院
[3] 西安交通大学电气工程学院
[4] 不详
关键词
氧化锌压敏电阻; 晶界; 劣化; 电容; 漏电流; 压敏电压;
D O I
10.13336/j.1003-6520.hve.2010.09.013
中图分类号
TM54 [电阻器、电位器];
学科分类号
摘要
因目前MOV型SPD劣化检测参数压敏电压U1mA和漏电流Ileakage不能及时有效地判断MOV劣化程度,故研究一种能考量MOV劣化程度的方法尤其重要。根据影响MOV电容的主要因素以及晶界肖恩特基势垒变化、离子迁移理论等氧化锌压敏电阻的劣化机理,提出了氧化锌压敏电阻劣化过程中必然伴随电容量的变化。在不同的冲击实验下,对MOV型SPD进行劣化实验表明:MOV的电容量均随劣化程度增加而呈现上升趋势;在In标称值冲击下,MOV电容量随冲击次数近似线性上升。通过实验首次提出了电容量增幅具有考量MOV劣化程度的重要意义,同时证明:结合U1mA、Ileakage和电容量3个参数能够更好地分析MOV内部劣化原因。
引用
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页码:2167 / 2172
页数:6
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