电阻率两种测试方法间几何效应修正的相关性

被引:10
作者
孙以材
范兆书
孙新宇
宁秋凤
机构
[1] 河北工业大学电气信息学院电子工程系!天津,
[2] 河北工业大学电气信息学院电子工程系!天津,,美国新墨西哥大学
关键词
电阻率测量; 四探针; 几何效应修正;
D O I
10.13290/j.cnki.bdtjs.2000.05.011
中图分类号
TN306 [可靠性及例行试验];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要
根据有限厚度样品体电阻率和薄层电阻两种测试方法间的厚度修正系数的相关性,论证了其边缘效应修正系数具有一一对应的严格的相等性。通过实验予以证明,并可将这一结论应用于非圆心点测试。
引用
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共 2 条
[1]   直排四探针电阻率硅圆片非圆心点直径修正因子F2的简易求法 [J].
周全德 ;
赵向娅 ;
孙月珍 .
半导体技术, 1993, (04) :60-62
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