用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM

被引：5

作者：

董素玲

成立

王振宇

高平

机构：

[1] 江苏大学电气与信息工程学院

[2] 江苏大学电气与信息工程学院江苏镇江

[3] 江苏镇江

来源：

半导体技术 | 2003年 / 06期

关键词：

双极互补金属氧化物半导体器件; 静态随机存取存储器; 存储单元; 输入/输出电路; 地址译码器;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.2003.06.013

中图分类号：

TN433 [BICMOS（双极-MOS混合）集成电路];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。

引用

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