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多孔硅的制备与光伏特性研究
被引:5
作者:
王宝辉,王德军,李铁津
机构:
[1] 吉林大学化学系
来源:
关键词:
多孔硅,表面光电压谱,量子限域效应;
D O I:
暂无
中图分类号:
O613.72 [硅Si];
学科分类号:
070301 ;
081704 ;
摘要:
采用特制的电解池在不同条件下制备了一系列多孔硅样品,通过测定其SPS发现,多孔硅的SPS特征带同单晶硅相比有明显蓝移,并且随制备条件不同,蓝移效应也不同。电解质中HF浓度和电解时间对其SPS响应有明显影响。这一现象的出现主要归因于量子线阵的生成。
引用
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页码:1349 / 1352
页数:4
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