电针对局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆功能的影响

被引:9
作者
林浴坤 [1 ]
陶静 [1 ]
陈斌 [1 ]
林如辉 [2 ]
机构
[1] 福建中医药大学康复医学院
[2] 福建中西医结合研究院
关键词
脑缺血/再灌注; 电针; 学习记忆; 凋亡; Bax; Bcl-2;
D O I
暂无
中图分类号
R743.3 [急性脑血管疾病(中风)];
学科分类号
1002 ;
摘要
目的探讨电针神庭、百会对局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆功能的影响及其机制。方法雄性Sprague-Dawley大鼠45只,随机分为假手术组(n=15)、模型组(n=15)和电针组(n=15)。模型组、电针组用线栓法制备局灶性脑缺血2 h再灌注损伤模型。电针组行电针干预7 d。各组在造模后3 d开始行Morris水迷宫测试。7 d后尼氏染色观察海马神经细胞变化,逆转录PCR检测Bcl-2、Bax mRNA表达。结果电针组逃避潜伏期显著低于模型组(P<0.001),穿过平台次数显著低于模型组(P=0.001)。电针组海马区细胞损伤及Bax mRNA水平降低、Bcl-2 mRNA水平提高(P<0.05)。结论电针能改善局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆能力,保护神经细胞,其机制可能与调节凋亡相关基因Bax、Bcl-2的表达有关。
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