电弧离子镀法制备高硬度Cr-Si-C-N薄膜

被引：5

作者：

聂朝胤 ^{[1
,2
]}

Akiro Ando ^{[2
]}

卢春灿 ^{[1
]}

贾晓芳 ^{[1
]}

机构：

[1] 西南大学材料科学与工程学院

[2] Ion Engineering Research Institute Corporation

来源：

金属学报 | 2009年 / 11期

基金：

教育部留学回国人员科研启动基金;

关键词：

电弧离子镀; Cr-Si-C-N薄膜; 纳米晶; 显微硬度;

D O I：

暂无

中图分类号：

TG174.4 [金属表面防护技术];

学科分类号：

080503 ;

摘要：

采用电弧离子反应沉积技术在SCM415渗碳淬火钢基片上沉积了Cr-Si-C-N薄膜,三甲基硅烷（TMS）反应气体作为Si和C掺杂源,通过改变TMS流量实现了薄膜中Si和C含量的调节.利用XPS,XRD,HRTEM和显微硬度计研究了Cr-Si-C-N薄膜的化学状态、显微组织和显微硬度.Cr-Si-C-N薄膜中的Si和C含量随TMS流量的增加而单调增加.在TMS流量小于90 mL/min时,薄膜中Si和C含量较少,薄膜由Cr（C,N）纳米晶与Si3N4非晶(nc-Cr（C,N）/a Si3N4)组成,薄膜硬度随流量的增加而单调增大,最大至4500 HK.硬度的增加源于固溶强化及薄膜中纳米晶/非晶复合结构的形成;当TMS流量大于90 mL/min时,薄膜中Si和C含量较多,多余的C以游离态形式存在,且随TMS流量的增加而增多,薄膜硬度下降.

引用

页码：1320 / 1324

页数：5