MOCVD法以NO气体为掺杂源生长p型ZnO薄膜

被引：14

作者：

徐伟中

叶志镇

周婷

赵炳辉

朱丽萍

黄靖云

机构：

[1] 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学硅材料国家重点实验室杭州,杭州,杭州,杭州,杭州,杭州

来源：

半导体学报 | 2005年 / 01期

关键词：

p型; ZnO; 金属有机化学气相沉积;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.054 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜 .实验使用NO和N2 O共同作为氧源 ,且NO同时作为掺氮源 ,二乙基锌作为锌源 .X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性 ,二次离子质谱分析证实了氮被掺入了ZnO薄膜 .通过优化锌源流量获得了最高空穴浓度为 1 97× 10 18cm-3 ,最低电阻率为 3 0 2Ω·cm的ZnO薄膜

引用

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