射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光

被引：24

作者：

王卿璞

张德恒

薛忠营

机构：

[1] 山东大学物理与微电子学院,山东大学物理与微电子学院,山东大学物理与微电子学院济南,济南,济南

来源：

半导体学报 | 2003年 / 02期

关键词：

ZnO薄膜; 射频磁控溅射; Si衬底; 光致发光;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.21 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁 .随着光激发强度的增加 ,紫光发射强度超线性增强 ,且稍有蓝移 ,而紫外光发光强度则近似线性增加 .在氧气中高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,紫光发射强度变弱 ,紫外光发射相对增强 .

引用

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