IGBT功率模块封装中先进互连技术研究进展

被引：36

作者：

吴义伯

戴小平

王彦刚

李道会

刘国友

机构：

[1] 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心(Lincoln分中心)

来源：

大功率变流技术 | 2015年 / 02期

关键词：

IGBT; 功率模块; 封装技术; 互连技术; 引线键合; 贴片焊接; 功率端子;

D O I：

10.13889/j.issn.2095-3631.2015.02.002

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

摘要：

随着新一代IGBT芯片结温及功率密度的提高,对功率电子模块及其封装技术的要求也越来越高。文章主要介绍了功率电子模块先进封装互连技术的最新发展趋势,重点比较了芯片表面互连、贴片焊接互连、导电端子引出互连等3种先进互连技术及其封装工艺的优缺点,讨论了功率电子模块封装及互连技术所面临的问题与挑战。

引用

页码：6 / 11

页数：6

共 4 条

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