晶闸管di/dt失效分析

被引：6

作者：

王富珍 ^{[1
]}

王彩琳 ^{[2
]}

机构：

[1] 西安永电电气有限责任公司

[2] 西安理工大学

来源：

关键词：

电力电子器件; 晶闸管; 电流上升率; 失效分析;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN34 [晶闸管（可控硅）];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

分析了晶闸管通态电流临界上升率(di/dt)的承受能力和损坏机理;给出了防止晶闸管di/dt失效的措施。结合晶闸管在电力机车变流装置上的运行情况,分析了晶闸管di/dt损坏的原因。结果表明,晶闸管的损坏与所加门极触发脉冲的宽度和频率等有关。

引用

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