低温高速率沉积非晶硅薄膜及太阳电池

被引：3

作者：

倪牮

张建军

王先宝

李林娜

侯国付

孙建

耿新华

赵颖

机构：

[1] 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所

来源：

光电子激光. | 2010年 / 21卷 / 02期

关键词：

非晶硅(a-Si)太阳电池; 低温沉积; 反应气压;

D O I：

10.16136/j.joel.2010.02.009

中图分类号：

TM914.4 [太阳能电池]; TN304.055 [];

学科分类号：

摘要：

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,保持沉积温度在125℃制备非晶硅薄膜材料及太阳电池。在85 Pa的低压下以及400～667 Pa的高压下,改变Si H4浓度和辉光功率等沉积参数,对本征a-Si材料的性能进行优化。结果表明,在高压下,合适的Si H4浓度和压力功率比可以使a-Si材料的光电特性得到优化,并且薄膜的沉积速率得到一定程度的提高。采用低压低速和高压高速的沉积条件,在125℃的低温条件下制备出效率为6.7%的单结a-Si电池,高压下本征层a-Si材料的沉积速率由0.06～0.08 nm/s提高到0.17～0.19 nm/s。

引用

页码：217 / 221

页数：5

共 3 条

[1] An approach to device grade amorphous and microcrystalline silicon thin films fabricated at higher deposition rates [J].

Kondo, M ;

Matsuda, A .

CURRENT OPINION IN SOLID STATE & MATERIALS SCIENCE, 2002, 6 (05) :445-453

[2]

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