Sr掺杂对WO3陶瓷电学性质及微观结构的影响

被引：1

作者：

杨春秀 ^{[1
]}

闫金良 ^{[1
]}

刘金浩 ^{[2
]}

王立志 ^{[1
]}

机构：

[1] 鲁东大学物理与电子工程学院

[2] 中国兵器工业第五二研究所烟台分所理化检测中心

来源：

功能材料与器件学报 | 2007年 / 03期

关键词：

三氧化钨; 电学性质; 非线性; 极化;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB34 [功能材料];

学科分类号：

080501 ;

摘要：

利用传统的陶瓷制备工艺制备了Sr掺杂的WO3陶瓷样品,测量了样品的显微结构和电学性质。结果表明,对于Sr掺杂来说,浓度为2mol%是一个临界点,在这一点处电学性质和微观结构都将发生显著的变化。掺杂浓度为0.2mol%的样品表现出较高的非线性系数8.7。实验中发现部分样品表现出电学的不稳定性,我们认为这种不稳定性与相共存以及由此导致的极化有关。

引用

页码：297 / 300

页数：4

共 3 条

[1] Novel nonlinear current-voltage characteristics of sintered tungsten oxide [J].