本征微晶硅材料及其在电池中的应用

被引：5

作者：

高艳涛

张晓丹

赵颖

朱锋

魏长春

孙建

耿新华

熊绍珍

机构：

[1] 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所

[2] 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

[3] 光电信息技术科学教育部重点实验室天津

[4] 天津

[5] (南开大学

[6] 天津大学)天津

来源：

关键词：

甚高频等离子体增强化学气相沉积; 微晶硅薄膜; 微晶硅电池;

D O I：

10.13922/j.cnki.cjovst.2005.05.017

中图分类号：

TM914 [光电池];

学科分类号：

080502 ;

摘要：

采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和功率的微晶硅薄膜。材料的电学特性和结构特性测试结果表明:制备出了符合太阳电池用的本征微晶硅薄膜。材料应用于电池中,制备出了效率达6.6%的微晶硅电池,没有ZnO背反射电极,而且电池的厚度仅为1.0μm。

引用

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