半导体功率发光二极管温升和热阻的测量及研究

被引：16

作者：

张跃宗

冯士维

谢雪松

李瑛

杨集

孙静莹

吕长志

机构：

[1] 北京工业大学电子信息与控制学院

来源：

半导体学报 | 2006年 / 02期

关键词：

温升; 热阻; 工作寿命; 可靠性; 发光效率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

通过电学测量方法得到了半导体功率发光二极管温升与热阻的加热响应曲线.曲线出现一个或多个台阶,反映了其内部的热阻构成与器件物理结构.同时采用遮光法对器件温升及热阻进行了修正.还应用瞬态加热响应原理对功率管的封装结构进行了监测.

引用

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页数：4

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共 2 条

[1] GaAs　MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究 [J].

冯士维，吕长志，丁广钰 .

半导体学报, 1994, (11) :747-753

[2]

Statistical character-ization of the lifeti mes of continuously operated(Al,Ga)As double-heterostructure lasers .2 Joyce WB,Dixon R W,Hart man R L. Appl Phys Lett . 1976