组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响

被引：3

作者：

黄维 ^{[1
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陈之战 ^{[1
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陈义 ^{[1
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施尔畏 ^{[1
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张静玉 ^{[3
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刘庆峰 ^{[3
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刘茜 ^{[3
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机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所宽禁带半导体材料课题组

[2] 中国科学院研究生院

[3] 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室

来源：

物理学报 | 2010年 / 59卷 / 05期

关键词：

碳化硅; 肖特基接触; 欧姆接触; 组合材料方法;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

采用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质;膜厚从10nm增加到160nm,肖特基接触的电流-电压(I-V)曲线随膜厚发生显著变化.分析表明这种变化源于膜厚对理想因子n和有效势垒高度ФB的影响.1000℃快速退火后,这些肖特基接触都转变为欧姆接触,Ni2Si是主要的生成物.I-V曲线测试表明,Ni膜厚为30至70nm范围时能稳定得到性质较好的欧姆接触.证实了之前认为Ni/SiC高温退火后富碳层存在一个合适范围以形成良好欧姆接触的结论.

引用

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