共 1 条
SiC Schottky结反向特性的研究
被引：3
作者：
尚也淳
刘忠立
王姝睿
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心
[2] 中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心 北京
[3] 北京
来源：
关键词：
SiC;
Schottky结;
反向特性;
隧穿电流;
D O I：
暂无
中图分类号：
O475 [P-N结];
学科分类号：
070205 ;
080501 ;
0809 ;
080903 ;
摘要：
对Ti 6H SiCSchottky结的反向特性进行了测试和理论分析 ,提出了一种综合的包括SiCSchottky结主要反向漏电流产生机理的反向隧穿电流模型 ,该模型考虑了Schottky势垒不均匀性、Ti SiC界面层电压降和镜像力对SiCSchottky结反向特性的影响 ,模拟结果和测量值的相符说明了以上所考虑因素是引起SiCSchottky结反向漏电流高于常规计算值的主要原因 .分析结果表明在一般工作条件下SiCSchottky结的反向特性主要是由场发射和热电子场发射电流决定的 .
引用
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页码：211 / 216
页数：6
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