低压气相生长金刚石薄膜系统中衬底表面凹缺陷成核机制研究

被引:10
作者
杨国伟
机构
[1] 洛阳航空航天部第014中心
关键词
金刚石薄膜,凹缺陷,成核;
D O I
暂无
中图分类号
O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];
学科分类号
080501 ; 1406 ;
摘要
提出了金刚石在衬底表面凹缺陷内成核的理论,指出凹缺陷尺度对于金刚石成核有着决定性作用,合适的凹缺陷将使成核率达到最大。并且讨论了该理论对于试图通过控制衬底表面缺陷来控制金刚石成核密度等人工微结构设计研究的意义。
引用
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共 2 条
[1]   Si和Mo基片上气相生长金刚石薄膜的界面状态研究 [J].
毛友德 ;
杨国伟 .
科学通报, 1993, (11) :986-989
[2]  
晶体生长的物理基础[M]. 上海科学技术出版社 , 闵乃本 著, 1982