微波激励PIN二极管的时频响应研究

被引：3

作者：

杨成

万双林

刘培国

机构：

[1] 国防科学技术大学电子科学与工程学院

来源：

微波学报 | 2011年 / 03期

关键词：

PIN二极管; 电导调制; 时频响应; Ⅰ层厚度;

D O I：

10.14183/j.cnki.1005-6122.2011.03.006

中图分类号：

TN12 [微波电子管];

学科分类号：

080901 ;

摘要：

利用一种PIN二极管子电路模型,分析微波激励下的I区电导调制机理,通过ADS软件瞬态、谐波仿真,研究Ⅰ层厚度w和少数载流子寿命τ对PIN二极管时频响应的影响。结果表明,对于同一微波激励,w越大,尖峰泄漏功率越大,导通时隔离度越小;τ越大,尖峰泄漏脉宽越小,导通时隔离度越大。仿真结果与理论分析相符。

引用

页码：9 / 12+16 +16

页数：5

共 6 条

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