聚酰亚胺/纳米ZnO耐电晕杂化膜的绝缘特性

通过原位聚合方法制得了纳米粒子分散均匀的聚酰亚胺/纳米ZnO杂化膜。在实验的基础上研究了不同掺杂含量和老化时间对杂化膜的介电特性的影响,同时通过热失重分析仪研究其热稳定性能以及用扫描电镜分析纳米粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态。结果表明,随着ZnO含量的提高,耐电晕性能得到了较大幅度的提高。当纳米ZnO含量为7%时介电常数为4.5左右,介电损耗在0.02以下,且随频率变化不大,击穿场强虽有所下降但仍满足实际需要。通过对电场和纳米ZnO粒子的分析初步讨论了耐电晕性能的老化机制。