多台阶衍射光学元件的工艺优化

被引：13

作者：

刘强 ^{[1
]}

邬融 ^{[1
]}

张晓波 ^{[2
]}

李永平 ^{[1
]}

田杨超 ^{[2
]}

机构：

[1] 中国科学技术大学物理系

[2] 中国科学技术大学国家同步辐射实验室

来源：

中国激光 | 2008年 / 08期

关键词：

衍射; 离子束刻蚀; 误差偏度; 光束整形;

D O I：

暂无

中图分类号：

TL632 [惯性约束装置];

学科分类号：

摘要：

通过对多台阶衍射光学元件(MDOE)刻蚀工艺中的误差分析,提出了一个反映整体刻蚀误差的参数———误差偏度.重点研究了误差偏度的变化对多台阶衍射光学元件光束整形效果的影响,发现在误差偏度曲线中存在一个能使刻蚀误差影响减弱的平坦区间.提出了在刻蚀工艺上以控制刻蚀深度来改善多台阶衍射光学元件器件实际照明效果的一种方法.实验结果表明,经过工艺优化后的MDOE的光场参数峰值(PV)下降了近30%.

引用

页码：1165 / 1168

页数：4

共 6 条

[1] 离子束刻蚀工艺误差对DOE器件的影响 [J].